先进数字基础设施的广泛应用,要求开发具有更高数据传输速率的通信技术。然而,确保以节能的方式实现这一目标,依然极具挑战。
今日,英国 南安普顿大学(University of Southampton)Ke Li(现为鹏城实验室),David J. Thomson,Graham T. Reed等,在Nature Electronics上发文,报道了基于互补金属氧化物半导体/硅光子的集成发射器,其中开关电流被施加到无源均衡网络引导的硅Mach-Zehnder调制器,而不是驱动具有传统电压摆幅的标准Mach-Zehnder调制器。基于选择适当的电感和近端终端阻抗值,将总电能选择性地分配给不同的频率分量。通过该方法,实现了112千兆波特(每秒112千兆比特的开关键控和每秒224千兆比特的四级脉冲幅度调制)传输的能量效率低于每比特皮焦耳,并且不需要数据源中的信号整形功能。还研究了100千兆波特的不同电功率和光功率条件下的误码率,包括驱动放大器的电功耗。An integrated CMOS–silicon photonics transmitter with a 112 gigabaud transmission and picojoule per bit energy efficiency.CMOS-硅光子集成发射器,具有112千兆波特传输和每比特皮焦能量效率。图1:拟议设计概念的示意图。
图2:设备实现示意图。
图3:拟议全硅发射器的性能。
图4:112Gbps开关键控on–off keying,OOK的电功率和光功率之间的权衡。
图5:200和224Gbps 脉冲幅度调制pulse-amplitude modulation with four levels,PAM-4的电功率和光功率之间的权衡。
Li, K., Thomson, D.J., Liu, S. et al. An integrated CMOS–silicon photonics transmitter with a 112 gigabaud transmission and picojoule per bit energy efficiency. Nat Electron (2023). https://doi.org/10.1038/s41928-023-01048-1https://www.nature.com/articles/s41928-023-01048-1https://www.nature.com/articles/s41928-023-01048-1.pdf声明:仅代表译者个人观点,小编水平有限,如有不当之处,请在下方留言指正!